MT8VDDT6464HDG-335F2
200-SODIMM
MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
200-SODIMM
表面安装
NO
DDR SDRAM
70°C
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
电源电压
2.5V
端子间距
0.6mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PDMA-N200
资历状况
Not Qualified
电源
2.5V
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
512MB
速度
333MT/s
时钟频率
167MHz
组织结构
64MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.04A
记忆密度
4294967296 bit
访问时间(最大)
0.7 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MT8VDDT6464HDG-335F2 PDF数据手册
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