![MT8HTF6464HDY-40ED3](https://static.esinoelec.com/200dimg/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-2872.jpg)
MT8HTF6464HDY-40ED3
200-SODIMM
MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
200-SODIMM
表面安装
NO
引脚数
200
DDR2 SDRAM
70°C
包装
Bulk
已出版
2006
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.6mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
1.8V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512MB
端口的数量
1
速度
400MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.056A
记忆密度
8589934592 bit
访问时间(最大)
0.6 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
高度
30mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
MT8HTF6464HDY-40ED3 PDF数据手册
- 数据表 :