![MT41K256M8DA-107:K](https://static.esinoelec.com/200dimg/microntechnologyinc-mt41k1g4da107p-9351.jpg)
MT41K256M8DA-107:K
78-TFBGA
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
78-TFBGA
引脚数
78
Volatile
Commercial grade
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2012
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
78
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.283V~1.45V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT41K256M8
工作电源电压
1.35V
电源电压-最大值(Vsup)
1.45V
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
2Gb 256M x 8
端口的数量
1
时钟频率
933MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
256MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
地址总线宽度
18b
密度
2 Gb
待机电流-最大值
0.012A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
MT41K256M8DA-107:K
78-TFBGA
78
Volatile
2 Gb
18 b
20ns
1.35 V
3 (168 Hours)
-
78-TFBGA
78
Volatile
1 Gb
14 b
20ns
1.35 V
3 (168 Hours)
-
78-TFBGA
78
Volatile
4 Gb
16 b
20ns
1.35 V
3 (168 Hours)
-
78-TFBGA
78
Volatile
4 Gb
16 b
20ns
1.5 V
3 (168 Hours)
MT41K256M8DA-107:K PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :