![MT29F8G08ADADAH4-IT:D](https://static.esinoelec.com/200dimg/microntechnologyinc-mt29f2g08abaeah4etr-0246.jpg)
MT29F8G08ADADAH4-IT:D
63-VFBGA
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 8Gbit 1G x 8bit 25ns 63-Pin VFBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
5 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
63-VFBGA
引脚数
63
Non-Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2011
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT29F8G08
引脚数量
63
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
8Gb 1G x 8
电源电流
35mA
访问时间
20 ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
8GX8
内存宽度
8
地址总线宽度
1b
密度
8 Gb
待机电流-最大值
0.0001A
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8K
行业规模
128K
页面尺寸
2kB
准备就绪/忙碌
YES
环境温度范围高
85°C
高度
1mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsDensityAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)TechnologyReady/Busy
-
MT29F8G08ADADAH4-IT:D
63-VFBGA
63
8 Gb
20 ns
3.3 V
3 (168 Hours)
FLASH - NAND
YES
-
63-VFBGA
63
8 Gb
25 ns
1.8 V
3 (168 Hours)
FLASH - NAND
YES
-
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
48
8 Gb
-
-
3 (168 Hours)
FLASH - NAND
YES
-
63-VFBGA
63
8 Gb
25 ns
3.3 V
3 (168 Hours)
FLASH - NAND
YES