MT16VDDF6464HG-40BG2
200-SODIMM
MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
200-SODIMM
表面安装
NO
引脚数
200
DDR SDRAM
70°C
包装
Bulk
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
电源电压
2.6V
端子间距
0.6mm
Reach合规守则
not_compliant
资历状况
Not Qualified
电源
2.6V
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
512MB
速度
400MT/s
组织结构
64MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.064A
记忆密度
4294967296 bit
访问时间(最大)
0.7 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
高度
38.1mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
MT16VDDF6464HG-40BG2 PDF数据手册
- 数据表 :