![MT16HTS51264HY-667A1](https://static.esinoelec.com/200dimg/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-2872.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
DDR2 SDRAM
16
已出版
2010
JESD-609代码
e4
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.6mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
1.8V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
1.9V
最小电源电压
1.7V
内存大小
4GB
端口的数量
1
速度
667MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
组织结构
512MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.128A
记忆密度
34359738368 bit
最高频率
667MHz
访问时间(最大)
0.45 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
长度
67.6mm
座位高度(最大)
3.8mm
宽度
30mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Number of PinsMin Supply VoltageSupply VoltageMax Supply VoltageMemory TypeMin Operating TemperatureRoHS Status
-
MT16HTS51264HY-667A1
200
1.7 V
1.8 V
1.9 V
DDR2 SDRAM
0 °C
ROHS3 Compliant
-
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0 °C
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