MT47H64M8B6-25E:D
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DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
60
TFBGA, BGA60,9X11,32
GRID ARRAY
64000000
PLASTIC/EPOXY
BGA60,9X11,32
30
0.4 ns
85 °C
Yes
MT47H64M8B6-25E:D
400 MHz
67108864 words
1.8 V
TFBGA
SQUARE
Micron Technology Inc
Obsolete
MICRON TECHNOLOGY INC
5.59
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
60
JESD-30代码
S-PBGA-B60
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.3 mA
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.007 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
10 mm
长度
10 mm