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MT47H64M8B6-25E:D

型号:

MT47H64M8B6-25E:D

品牌:

Micron

封装:

-

描述:

DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    60

  • TFBGA, BGA60,9X11,32

  • GRID ARRAY

  • 64000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • BGA60,9X11,32

  • 30

  • 0.4 ns

  • 85 °C

  • Yes

  • MT47H64M8B6-25E:D

  • 400 MHz

  • 67108864 words

  • 1.8 V

  • TFBGA

  • SQUARE

  • Micron Technology Inc

  • Obsolete

  • MICRON TECHNOLOGY INC

  • 5.59

  • BGA

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.28

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    60

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B60

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 电源

    1.8 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.3 mA

  • 组织结构

    64MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.007 A

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    4,8

  • 交错突发长度

    4,8

  • 访问模式

    FOUR BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    10 mm

  • 长度

    10 mm

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