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MT46H32M32LFCM-75IT:A
-
DDR DRAM, 32MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
90
VFBGA, BGA90,9X15,32
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
32000000
PLASTIC/EPOXY
BGA90,9X15,32
-40 °C
30
6 ns
85 °C
Yes
MT46H32M32LFCM-75IT:A
133 MHz
33554432 words
1.8 V
VFBGA
RECTANGULAR
Micron Technology Inc
Obsolete
MICRON TECHNOLOGY INC
5.37
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.14 mA
组织结构
32MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.0006 A
记忆密度
1
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
10 mm
长度
13 mm