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M25P40-VMN3TPB

型号:

M25P40-VMN3TPB

品牌:

Micron

封装:

-

描述:

Flash, 512KX8, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PACKAGE

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    EOL (Last Updated: 2 years ago)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 终端数量

    8

  • 512000

  • Compliant

  • FLASH, NOR

  • SOP, SOP8,.25

  • SMALL OUTLINE

  • 512000

  • PLASTIC/EPOXY

  • SOP8,.25

  • -40 °C

  • 30

  • 125 °C

  • Yes

  • M25P40-VMN3TPB

  • 75 MHz

  • 2.7 V

  • SOP

  • RECTANGULAR

  • Micron Technology Inc

  • Obsolete

  • MICRON TECHNOLOGY INC

  • 7.41

  • SOIC

  • Automotive grade

  • 包装

    Tape & Reel

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    NOR TYPE

  • 最高工作温度

    125 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 子类别

    Flash Memories

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    75 MHz

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源

    3/3.3 V

  • 温度等级

    AUTOMOTIVE

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3 V

  • 电压

    2.3 V

  • 界面

    SPI, Serial

  • 最大电源电压

    3.6 V

  • 最小电源电压

    2.3 V

  • 内存大小

    488.3 kB

  • 电源电流

    8 mA

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.015 mA

  • 访问时间

    15 ns

  • 组织结构

    512KX8

  • 座位高度-最大

    1.75 mm

  • 内存宽度

    8

  • 地址总线宽度

    1 b

  • 密度

    4 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.00005 A

  • 记忆密度

    4194304 bit

  • 筛选水平

    AEC-Q100

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 同步/异步

    Synchronous

  • 字长

    8 b

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    2.7 V

  • 串行总线类型

    SPI

  • 耐力

    100000 Write/Erase Cycles

  • 写入周期时间 - 最大值

    15 ms

  • 数据保持时间

    20

  • 写入保护

    HARDWARE/SOFTWARE

  • 页面尺寸

    256 B

  • 宽度

    3.9 mm

  • 长度

    4.9 mm

  • 辐射硬化

    No

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