![SST34WA1601-70-5E-MVJE](https://static.esinoelec.com/200image/5b3a7fc08d71bb0c528af59f67919d4e.jpg)
SST34WA1601-70-5E-MVJE
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SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA44, 6 X 8 MM, 0.92 MM HEIGHT, 0.30 MM BALL, ROHS COMPLIANT, MO-225, VFBGA-44
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
44
Yes
Active
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
BGA
6 X 8 MM, 0.92 MM HEIGHT, 0.30 MM BALL, ROHS COMPLIANT, MO-225, VFBGA-44
1048576 words
1000000
85 °C
-20 °C
PLASTIC/EPOXY
VFBGA
RECTANGULAR
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
1.8 V
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
附加功能
ZERO DENSITY PSRAM
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PBGA-B44
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
1MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
记忆密度
16777216 bit
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
长度
8 mm
宽度
6 mm