![SST25PF040C-40I/MF](https://static.esinoelec.com/200dimg/microchiptechnology-sst26vf016bt104imf-8625.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
7 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-WDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
8
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
系列
SST25
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 供电
2.3V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1.27mm
基本部件号
SST25PF040C
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
界面
SPI, Serial
内存大小
4Mb 512K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
40MHz
电源电流-最大值
0.015mA
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
组织结构
4MX1
内存宽度
1
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
密度
8 b
待机电流-最大值
0.00001A
编程电压
3.3V
串行总线类型
SPI
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据保持时间
20
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
反向引脚排列
NO
长度
6mm
宽度
5mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityInterfaceSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)Endurance
-
SST25PF040C-40I/MF
8-WDFN Exposed Pad
8
Non-Volatile
8 b
SPI, Serial
3.3 V
3 (168 Hours)
100000 Write/Erase Cycles
-
8-WDFN Exposed Pad
8
Non-Volatile
4 Mb
SPI, Serial
2.5 V
3 (168 Hours)
100000 Write/Erase Cycles
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
Non-Volatile
4 Mb
SPI, Serial
2.5 V
3 (168 Hours)
100000 Write/Erase Cycles
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
Non-Volatile
8 b
SPI, Serial
2.5 V
3 (168 Hours)
100000 Write/Erase Cycles
-
8-WDFN Exposed Pad
8
Non-Volatile
8 b
SPI, Serial
3 V
3 (168 Hours)
100000 Write/Erase Cycles
SST25PF040C-40I/MF PDF数据手册
- 数据表 :
- 软件下载 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :