规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
Nonstandard SMD
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Active
Bulk
厂商
Microchip Technology
PLAD6.5
S-PSSO-G1
SMALL OUTLINE
PLASTIC/EPOXY
-55 °C
150 °C
Yes
MXPLAD6.5KP12CAE3
2.5 W
SQUARE
Microsemi Corporation
1
Active
MICROSEMI CORP
5.6
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
参考标准
AEC-Q101; MIL-19500
JESD-30代码
S-PSSO-G1
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
CATHODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
13.3V
功率 - 脉冲峰值
6500W (6.5kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
327A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
19.9V
电压 - 反向断态（典型值）
12V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
12 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
6500 W
击穿电压-最小值
13.3 V
击穿电压-最大值
14.7 V