规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
PLAD-2
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Details
60 V
30 kW
-
-
342 A
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
1
Bulk
PLAD30
厂商
Microchip Technology
Active
S-PSSO-G1
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
Yes
MXPLAD30KP54CAE3
2.5 W
SQUARE
1
Active
MICROSEMI CORP
5.45
系列
MX
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
1
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
S-PSSO-G1
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
54 V
工作电压
54 V
极性
Bidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
60V
功率 - 脉冲峰值
30000W (30kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
342A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
87.1V
箝位电压
87.1 V
电压 - 反向断态（典型值）
54V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
54 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
30000 W
击穿电压-最小值
60 V
击穿电压-最大值
66.3 V
Vf-正向电压
4 V