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MXLUPTB12E3

型号:

MXLUPTB12E3

封装:

DO-216AA-2

描述:

ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    DO-216AA-2

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 供应商器件包装

    Powermite 1 (DO216-AA)

  • Details

  • 13.8 V

  • 6.94 A

  • - 65 C

  • + 150 C

  • 1

  • Bulk

  • UPTB12

  • 厂商

    Microchip Technology

  • Active

  • 1

  • NOT SPECIFIED

  • Yes

  • MXLUPTB12E3

  • Active

  • MICROSEMI CORP

  • 5.79

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e3

  • 类型

    Zener

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 应用

    General Purpose

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 额定电流

    1 uA

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • 工作电压

    12 V

  • 极性

    Bidirectional

  • 通道数量

    1 Channel

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    13.8V

  • 功率 - 脉冲峰值

    1000W (1kW)

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    6.94A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    21.6V

  • 箝位电压

    21.6 V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    12V

  • 双向通道

    1

  • 电容@频率

    -

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