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MXLSMBJ60A

型号:

MXLSMBJ60A

封装:

DO-214AA-2

描述:

ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    DO-214AA-2

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    SMBJ (DO-214AA)

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • N

  • 66.7 V

  • 600 W

  • 6.2 A

  • - 65 C

  • + 150 C

  • 0.003527 oz

  • 1

  • 1.38 W

  • Bulk

  • SMBJ6.0

  • 厂商

    Microchip Technology

  • Active

  • R-PDSO-J2

  • SMALL OUTLINE

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • NOT SPECIFIED

  • No

  • MXLSMBJ60A

  • 1.38 W

  • RECTANGULAR

  • 1

  • Active

  • MICROSEMI CORP

  • 70.2 V

  • 5.58

  • DO-214AA

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    No

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 应用

    General Purpose

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 技术

    AVALANCHE

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    J BEND

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    2

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • JESD-30代码

    R-PDSO-J2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 工作电源电压

    60 V

  • 工作电压

    60 V

  • 极性

    Unidirectional

  • 配置

    SINGLE

  • 通道数量

    1 Channel

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    6.67V

  • 功率 - 脉冲峰值

    600W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    58.3A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    10.3V

  • 箝位电压

    96.8 V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    6V

  • 单向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    60 V

  • JEDEC-95代码

    DO-214AA

  • 电容@频率

    -

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    600 W

  • 击穿电压-最小值

    66.7 V

  • 最大箝位电压

    96.8 V

  • 击穿电压-最大值

    73.7 V

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