生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-214AA-2

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Details

36.7 V

600 W

11.3 A

- 65 C

+ 150 C

1.38 W

1

0.003527 oz

33 V

Bulk

SMBJ33

厂商

Microchip Technology

Active

R-PDSO-J2

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

NOT SPECIFIED

Yes

MXLSMBJ33AE3

1.38 W

RECTANGULAR

1

Active

MICROSEMI CORP

38.65 V

5.58

DO-214AA

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

33 V

工作电压

33 V

极性

Unidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

36.7V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

11.3A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

53.3V

箝位电压

53.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

33V

峰值脉冲电流

11.3 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

Unidirectional

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

33 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

36.7 V

最大箝位电压

53.3 V

击穿电压-最大值

40.6 V

最小击穿电压

36.7 V