安装类型

Surface Mount

包装/外壳

Nonstandard SMD

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Active

Bulk

厂商

Microchip Technology

PLAD6.5

40 V

2.5 W

+ 150 C

-

- 55 C

1

111 A

6.5 kW

Microchip

Microchip Technology

Details

-

S-PSSO-G1

SMALL OUTLINE

PLASTIC/EPOXY

-55 °C

150 °C

Yes

MXLPLAD6.5KP36AE3

2.5 W

SQUARE

1

Active

MICROSEMI CORP

5.6

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

MATTE TIN

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

参考标准

AEC-Q101; MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

工作电源电压

30 V

工作电压

36 V

极性

Unidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

箱体转运

CATHODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

40V

功率 - 脉冲峰值

6500W (6.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

111A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

58.1V

箝位电压

58.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

36V

单向通道

1

产品类别

TVS Diodes

Rep Pk反向电压-最大值

36 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

6500 W

击穿电压-最小值

40 V

击穿电压-最大值

44.2 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes