规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
Nonstandard SMD
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
厂商
Microchip Technology
PLAD6.5
Active
Bulk
18.9 V
+ 150 C
-
- 55 C
236 A
6.5 kW
-
S-PSSO-G1
SMALL OUTLINE
PLASTIC/EPOXY
-55 °C
150 °C
Yes
MXLPLAD6.5KP17AE3
2.5 W
SQUARE
Microsemi Corporation
1
Active
MICROSEMI CORP
5.6
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
参考标准
AEC-Q101; MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
S-PSSO-G1
工作电压
17 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
CATHODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
18.9V
功率 - 脉冲峰值
6500W (6.5kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
236A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
27.6V
箝位电压
27.6 V
电压 - 反向断态（典型值）
17V
单向通道
1
产品类别
TVS Diodes
Rep Pk反向电压-最大值
17 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
6500 W
击穿电压-最小值
18.9 V
击穿电压-最大值
20.9 V