
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-214AB, SMC
底架
Surface Mount
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
DO-214AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Active
Bulk
厂商
Microchip Technology
SMLJ70
70 V
Compliant
7.78 V
1.61 W
+ 150 C
0.008818 oz
- 65 C
1
250 A
3 kW
Microchip
Microchip Technology
-
-
No
MSMLJ7.0CA
1.61 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
5.58
150 °C
NOT SPECIFIED
-65 °C
PLASTIC/EPOXY
1
SMALL OUTLINE
PLASTIC PACKAGE-2
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Zener
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
参考标准
MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-J2
工作电源电压
7 V
工作电压
7 V
极性
Bidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
元素配置
Single
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
77.8V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
26.6A
最大反向漏电电流
2 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
113V
箝位电压
113 V
电压 - 反向断态(典型值)
70V
峰值脉冲电流
26.6 A
峰值脉冲功率
3 kW
方向
Bidirectional
测试电流
1 mA
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
7 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
3000 W
击穿电压-最小值
7.78 V
双向通道数
1
击穿电压-最大值
8.6 V
最小击穿电压
77.8 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes