规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-214AB, SMC
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Active
Bulk
厂商
Microchip Technology
SMLJ6.0
6.67 V
1.61 W
+ 150 C
-
0.008818 oz
- 65 C
1
291.3 A
3 kW
Microchip
Microchip Technology
Details
-
R-PDSO-J2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
-65 °C
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
MSMLJ60AE3
1.61 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
5.58
DO-214AB
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-J2
工作电源电压
60 V
工作电压
60 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
6.67V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
291.3A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
10.3V
箝位电压
10.3 V
电压 - 反向断态（典型值）
6V
单向通道
1
产品类别
TVS Diodes
Rep Pk反向电压-最大值
60 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
3000 W
击穿电压-最小值
66.7 V
击穿电压-最大值
73.7 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes