规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-214AB, SMC
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Microchip Technology
Bulk
Active
SMLJ58
64.4 V
+ 150 C
-
- 65 C
32 A
3 kW
-
PLASTIC PACKAGE-2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
-65 °C
NOT SPECIFIED
150 °C
No
MSMLJ58A
1.61 W
RECTANGULAR
Microsemi Corporation
1
Active
MICROSEMI CORP
5.57
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
TIN LEAD
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
参考标准
MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-J2
工作电压
58 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
64.4V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
32A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
93.6V
箝位电压
93.6 V
电压 - 反向断态（典型值）
58V
单向通道
1
产品类别
TVS Diodes
Rep Pk反向电压-最大值
58 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
3000 W
击穿电压-最小值
64.4 V
击穿电压-最大值
71.2 V