规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-214AB-2
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Details
56.7 V
3 kW
-
36.4 A
- 65 C
+ 150 C
1.61 W
1
0.008818 oz
DO-214AB
3000 W
Bi-Directional
Surface Mount
Bulk
SMLJ51
厂商
Microchip Technology
Active
R-PDSO-J2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
-65 °C
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
MSMLJ51CAE3
1.61 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
2.03
DO-214AB
Military grade
包装
Bulk
操作温度
-65 to 150 °C
系列
Military, MIL-PRF-19500
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-J2
工作电源电压
51 V
工作电压
51 V
极性
Bidirectional
配置
Single
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
56.7V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
36.4A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
82.4V
箝位电压
82.4 V
电压 - 反向断态（典型值）
51V
测试电流
1 mA
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
51 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
-
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
3000 W
ESD保护
Yes
击穿电压-最小值
56.7 V
击穿电压-最大值
62.7 V