包装/外壳

DO-215AB, SMC Gull Wing

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

SMLG (DO-215AB)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

Microchip Technology

Active

Bulk

SMLG8.5

DO-215AB

3000 W

Uni-Directional

Surface Mount

94.4 V

1.61 W

+ 150 C

-

0.008818 oz

- 65 C

1

20.8 A

3 kW

Microchip

Microchip Technology

Details

-

R-PDSO-G2

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

-65 °C

NOT SPECIFIED

150 °C

Yes

MSMLG8.5AE3

1.61 W

RECTANGULAR

1

Active

MICROSEMI CORP

5.57

DO-215AB

Military grade

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

MATTE TIN

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

工作电源电压

85 V

工作电压

85 V

极性

Unidirectional

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

9.44V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

208.4A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

14.4V

箝位电压

137 V

电压 - 反向断态（典型值）

8.5V

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS Diodes

Rep Pk反向电压-最大值

8.5 V

JEDEC-95代码

DO-215AB

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

ESD保护

Yes

击穿电压-最小值

9.44 V

击穿电压-最大值

10.4 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes