![MSMLG18CAE3](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-215AB-2
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
SMLG (DO-215AB)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Details
20 V
3 kW
102.8 A
- 65 C
+ 150 C
1.61 W
1
0.008818 oz
Bulk
SMLG18
厂商
Microchip Technology
Active
R-PDSO-G2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
-65 °C
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
MSMLG18CAE3
1.61 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
5.58
DO-215AB
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-G2
工作电源电压
18 V
工作电压
18 V
极性
Bidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
20V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
102.8A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
29.2V
箝位电压
29.2 V
电压 - 反向断态(典型值)
18V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
18 V
JEDEC-95代码
DO-215AB
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
3000 W
击穿电压-最小值
20 V
击穿电压-最大值
22.1 V