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规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-214AB, SMC
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB (SMCJ)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Microchip Technology
Active
Bulk
SMCJLCE8.5
1
Microchip
Microchip Technology
Details
R-PDSO-C2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
Yes
MSMCJLCE8.5AE3
5 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
9.92 V
5.29
DO-214AB
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-C2
资历状况
Not Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
9.44V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
100A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
14.4V
电压 - 反向断态(典型值)
8.5V
单向通道
1
产品类别
TVS Diodes
Rep Pk反向电压-最大值
8.5 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
100pF @ 1MHz
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
9.44 V
最大箝位电压
14.4 V
击穿电压-最大值
10.4 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes