包装/外壳

DO-214AA, SMB

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

Microchip Technology

Active

Bulk

SMBJ7.5

8.33 V

1.38 W

+ 150 C

-

0.003527 oz

- 65 C

1

46.5 A

600 W

Microchip

Microchip Technology

Details

-

R-PDSO-J2

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

Yes

MSMBJ7.5CAE3

1.38 W

RECTANGULAR

1

Active

MICROSEMI CORP

5.57

DO-214AA

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-J2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

7.5 V

工作电压

7.5 V

极性

Bidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

8.33V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

46.5A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

12.9V

箝位电压

12.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

7.5V

产品类别

TVS Diodes

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

7.5 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

8.33 V

击穿电压-最大值

9.21 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes