![MSMBG8.5CAE3](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
DO-215AA, SMB Gull Wing
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
SMBG (DO-215AA)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Active
Bulk
厂商
Microchip Technology
SMBG8.5
8.5 V
Compliant
9.44 V
+ 150 C
- 65 C
41.7 A
600 W
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
MSMBG85CAE3
1.38 W
RECTANGULAR
Microsemi Corporation
1
Active
MICROSEMI CORP
R-PDSO-G2
99.2 V
5.58
DO-215AA
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Zener
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Transient Suppressors
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
Not Qualified
工作电压
8.5 V
极性
Bidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
元素配置
Single
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
9.44V
功率 - 脉冲峰值
600W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
41.7A
最大反向漏电电流
10 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
14.4V
箝位电压
14.4 V
电压 - 反向断态(典型值)
8.5V
峰值脉冲电流
41.7 A
峰值脉冲功率
600 W
方向
Bidirectional
测试电流
1 mA
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
85 V
JEDEC-95代码
DO-215AA
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
600 W
击穿电压-最小值
94.4 V
双向通道数
1
最大箝位电压
137 V
击穿电压-最大值
104 V
最小击穿电压
9.44 V