
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-215AA, SMB Gull Wing
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
SMBG (DO-215AA)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Microchip Technology
SMBG6.0
Active
Bulk
DO-215AA
600 W
Uni-Directional
Surface Mount
6.67 V
1.38 W
+ 150 C
-
0.003527 oz
- 65 C
1
58.3 A
600 W
Microchip
Microchip Technology
N
-
No
MSMBG60A
1.38 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
5.58
DO-215AA
20
PLASTIC/EPOXY
1
SMALL OUTLINE
PLASTIC, SMBG, 2 PIN
Military grade
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
6 V
工作电压
6 V
极性
Unidirectional
配置
Single
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
6.67V
功率 - 脉冲峰值
600W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
58.3A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
10.3V
箝位电压
10.3 V
电压 - 反向断态(典型值)
6V
测试电流
1 mA
单向通道
1
产品类别
TVS Diodes
Rep Pk反向电压-最大值
60 V
JEDEC-95代码
DO-215AA
电容@频率
-
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
600 W
ESD保护
Yes
击穿电压-最小值
66.7 V
击穿电压-最大值
73.7 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes