![MSMBG54CAE3](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-215AA-2
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
SMBG (DO-215AA)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Details
60 V
600 W
6.9 A
- 65 C
+ 150 C
1.38 W
1
0.003527 oz
Bulk
SMBG54
厂商
Microchip Technology
Active
R-PDSO-G2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
MSMBG54CAE3
1.38 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
63.15 V
5.58
DO-215AA
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
54 V
工作电压
54 V
极性
Bidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
60V
功率 - 脉冲峰值
600W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
6.9A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
87.1V
箝位电压
87.1 V
电压 - 反向断态(典型值)
54V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
54 V
JEDEC-95代码
DO-215AA
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
600 W
击穿电压-最小值
60 V
最大箝位电压
87.1 V
击穿电压-最大值
66.3 V