规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-247-3
二极管元件材料
SILICON CARBIDE
终端数量
3
厂商
Microchip Technology
Tube
Active
MSC030
TO-247
Schottky Diode
-
1200 V
200 uA
259 W
+ 175 C
- 55 C
1
Through Hole
1.2 kV
Microchip
Microchip Technology / Atmel
65 A
Details
165 A
R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
-55 °C
175 °C
MSC030SDA120BCT
259 W
RECTANGULAR
2
Active
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
1.8 V
5.65
系列
-
包装
Tube
应用
HIGH VOLTAGE POWER
附加功能
HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE, LOW NOISE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
SiC
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
Dual
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
Silicon Carbide Schottky
反向泄漏电流@ Vr
200 μA @ 1200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 30 A
箱体转运
CATHODE
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
输出电流-最大值
32.5 A
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
1200 V
平均整流电流（Io）
65A
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
1200 V
JEDEC-95代码
TO-247
电容@Vr, F
141pF @ 400V, 1MHz
最大非代表Pk前进电流
165 A
二极管配置
Dual Common Cathod
反向电流-最大值
200 µA
重复峰值反向电压
1.2
反向测试电压
1200 V
反向恢复时间(trr)
0 ns
产品
Schottky Silicon Carbide Diodes
Vf-正向电压
1.5 V
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers