规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
PLAD-2
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Details
26.7 V
6.5 kW
-
167 A
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
1
0.077603 oz
24 V
Bulk
PLAD6.5
厂商
Microchip Technology
Active
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MINI-PLAD, 1 PIN
SMALL OUTLINE
PLASTIC/EPOXY
-55 °C
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
MPLAD6.5KP24AE3
2.5 W
SQUARE
1
Active
MICROSEMI CORP
28.1 V
5.59
系列
MPLAD
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Zener
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101; MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
S-PSSO-G1
工作电源电压
24 V
工作电压
24 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
CATHODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
26.7V
功率 - 脉冲峰值
6500W (6.5kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
167A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
38.9V
箝位电压
38.9 V
电压 - 反向断态（典型值）
24V
峰值脉冲电流
167 A
峰值脉冲功率
6.5 kW
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
24 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
6500 W
单向通道数
1
击穿电压-最小值
26.7 V
最大箝位电压
38.9 V
击穿电压-最大值
29.5 V
最小击穿电压
26.7 V