生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Details

24.4 V

6.5 kW

-

-

183 A

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

1

0.077603 oz

Bulk

PLAD6.5

厂商

Microchip Technology

Active

22 V

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MINI-PLAD, 1 PIN

SMALL OUTLINE

PLASTIC/EPOXY

-55 °C

NOT SPECIFIED

150 °C

Yes

MPLAD6.5KP22AE3

2.5 W

SQUARE

1

Active

MICROSEMI CORP

25.65 V

5.6

系列

MPLAD

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

MATTE TIN

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101; MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

工作电源电压

22 V

工作电压

22 V

极性

Unidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

箱体转运

CATHODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

24.4V

功率 - 脉冲峰值

6500W (6.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

183A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

35.5V

箝位电压

35.5 V

电压 - 反向断态（典型值）

22V

峰值脉冲电流

183 A

峰值脉冲功率

6.5 kW

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

22 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

6500 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

24.4 V

最大箝位电压

35.5 V

击穿电压-最大值

26.9 V

最小击穿电压

24.4 V