![MPLAD30KP350AE3/TR](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
PLAD-2
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Details
389 V
30 kW
53 A
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
1
Tape & Reel (TR)
PLAD30
厂商
Microchip Technology
Active
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
MPLAD30KP350AE3/TR
2.5 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
410 V
5.55
系列
MPLAD
包装
Reel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
额定电流
10 uA
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PSSO-G1
资历状况
Not Qualified
工作电压
350 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
CATHODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
389V
功率 - 脉冲峰值
30000W (30kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
53A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
564V
箝位电压
564 V
电压 - 反向断态(典型值)
350V
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
350 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
30000 W
击穿电压-最小值
389 V
最大箝位电压
564 V
击穿电压-最大值
431 V
Vf-正向电压
4 V