规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
PLAD-2
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Details
20 V
30 kW
-
-
975 A
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
1
0.077603 oz
PLAD
250 W
Bi-Directional
Surface Mount
Bulk
PLAD30
厂商
Microchip Technology
Active
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
SMALL OUTLINE
PLASTIC/EPOXY
-55 °C
150 °C
Yes
MPLAD30KP18CAE3
2.5 W
SQUARE
1
Active
MICROSEMI CORP
21.05 V
5.58
Military grade
系列
MPLAD
包装
Bulk
操作温度
-55 to 150 °C
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
S-PSSO-G1
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
18 V
工作电压
18 V
极性
Bidirectional
配置
Single
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
CATHODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
20V
功率 - 脉冲峰值
30000W (30kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
975A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
30.8V
箝位电压
30.8 V
电压 - 反向断态（典型值）
18V
测试电流
5 mA
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
18 V
电容@频率
-
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
30000 W
ESD保护
Yes
击穿电压-最小值
20 V
最大箝位电压
30.8 V
击穿电压-最大值
22.1 V
Vf-正向电压
4 V