生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

PLAD-2

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Details

18.9 V

30 kW

-

-

1.041 kA

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

1

0.077603 oz

PLAD

250 W

Bi-Directional

Surface Mount

Bulk

PLAD30

厂商

Microchip Technology

Active

17 V

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

-55 °C

NOT SPECIFIED

150 °C

Yes

MPLAD30KP17CAE3

2.5 W

SQUARE

1

Active

MICROSEMI CORP

19.9 V

5.58

Military grade

系列

MPLAD

包装

Bulk

操作温度

-55 to 150 °C

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

17 V

工作电压

17 V

极性

Bidirectional

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

箱体转运

CATHODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

18.9V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

1041A (1.041kA)

最大反向漏电电流

150 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

28.8V

箝位电压

28.8 V

电压 - 反向断态（典型值）

17V

峰值脉冲电流

1.041 kA

峰值脉冲功率

30 kW

方向

Bidirectional

测试电流

5 mA

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

17 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

ESD保护

Yes

击穿电压-最小值

18.9 V

双向通道数

1

最大箝位电压

28.8 V

击穿电压-最大值

20.9 V

最小击穿电压

18.9 V

Vf-正向电压

4 V