包装/外壳

PLAD-2

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Details

15.6 V

30 kW

-

-

1.251 kA

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

1

0.077603 oz

PLAD

250 W

Bi-Directional

Surface Mount

Bulk

PLAD30

厂商

Microchip Technology

Active

ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

-55 °C

NOT SPECIFIED

150 °C

Yes

MPLAD30KP14CAE3

2.5 W

SQUARE

1

Active

MICROSEMI CORP

16.4 V

5.57

Military grade

系列

MPLAD

包装

Bulk

操作温度

-55 to 150 °C

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

14 V

工作电压

14 V

极性

Bidirectional

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

箱体转运

CATHODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

15.6V

功率 - 脉冲峰值

30000W (30kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

1251A (1.251kA)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

24V

箝位电压

24 V

电压 - 反向断态（典型值）

14V

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

14 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

30000 W

ESD保护

Yes

击穿电压-最小值

15.6 V

最大箝位电压

24 V

击穿电压-最大值

17.2 V

Vf-正向电压

4 V