规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
Case-1-2
安装类型
Through Hole
表面安装
NO
供应商器件包装
CASE-1
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Details
33.3 V
1.5 kW
100 pF
31 A
- 65 C
+ 150 C
1.52 W
1
0.052911 oz
Bulk
LCE30
厂商
Microchip Technology
Active
O-PALF-W2
LONG FORM
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
MLCE30AE3
5 W
ROUND
1
Active
MICROSEMI CORP
35.05 V
5.77
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-PALF-W2
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
30 V
工作电压
30 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
33.3V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
31A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
48.4V
箝位电压
48.4 V
电压 - 反向断态（典型值）
30V
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
30 V
电容@频率
100pF @ 1MHz
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
33.3 V
最大箝位电压
48.4 V
击穿电压-最大值
36.8 V