![MCP6N11T-100E/MNY](https://static.esinoelec.com/200dimg/skyworkssolutionsinc-sky65095360lf-7412.jpg)
MCP6N11T-100E/MNY
8-WFDFN Exposed Pad
MICROCHIP - MCP6N11T-100E/MNY - AMP, INSTR, 800UA, 8TDFN
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-WFDFN Exposed Pad
引脚数
8
2
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e4
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MCP6N11
引脚数量
8
输出类型
Rail-to-Rail
通道数量
1
电路数量
1
电源电流
800μA
最大电源电流
800μA
压摆率
6V/μs
放大器类型
Instrumentation
共模拒绝率
88 dB
输入偏正电流
10pA
电压 - 电源,单/双路(±)
1.8V~5.5V
输入失调电压(Vos)
350μV
增益带宽积
35MHz
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.005μA
电源抑制比
86dB
电源电压限制-最大值
6.5V
-3db 带宽
35MHz
马克斯非线性
0.05%
高度
750μm
长度
3mm
宽度
2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of CircuitsSlew RateGain Bandwidth ProductInput Offset Voltage (Vos)Power Supply Rejection Ratio (PSRR)Common Mode Rejection Ratio
-
MCP6N11T-100E/MNY
8-WFDFN Exposed Pad
8
1
6V/μs
35MHz
350 μV
86 dB
88 dB
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
5V/μs
-
2.5 mV
81.94 dB
74 dB
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
5V/μs
-
2.5 mV
81.94 dB
74 dB
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
-
5V/μs
-
2.5 mV
81.94 dB
74 dB
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
1
6V/μs
35MHz
350 μV
86 dB
86 dB
MCP6N11T-100E/MNY PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :