![MCP6N11-005E/SN](https://static.esinoelec.com/200dimg/microchiptechnology-micrf010ym-3076.jpg)
MCP6N11-005E/SN
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MICROCHIP MCP6N11-005E/SN Instrument Amplifier, 1 Amplifier, 850 V, 9 V/s, 2.5 MHz, 1.8V to 5.5V, SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
9 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
2
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tube
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MCP6N11
引脚数量
8
输出类型
Rail-to-Rail
通道数量
1
电路数量
1
电源电流
800μA
最大电源电流
800μA
压摆率
9V/μs
放大器类型
Instrumentation
共模拒绝率
75 dB
输入偏正电流
10pA
电压 - 电源,单/双路(±)
1.8V~5.5V
输入失调电压(Vos)
850μV
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.005μA
电源抑制比
75dB
电源电压限制-最大值
6.5V
-3db 带宽
35MHz
马克斯非线性
0.05%
高度
1.25mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of CircuitsSlew RateInput Offset Voltage (Vos)Power Supply Rejection Ratio (PSRR)Common Mode Rejection RatioRadiation Hardening
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MCP6N11-005E/SN
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
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850 μV
75 dB
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86.02 dB
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8
1
9V/μs
850 μV
75 dB
80 dB
No
-
8-WFDFN Exposed Pad
8
1
9V/μs
3 mV
62 dB
70 dB
No
-
8-WFDFN Exposed Pad
8
1
9V/μs
2 mV
68 dB
78 dB
No
MCP6N11-005E/SN PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :