生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

DO-214AB, SMC

底架

Surface Mount

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

DO-214AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Active

Bulk

厂商

Microchip Technology

SMLJ9.0

9 V

Compliant

10 V

1.61 W

+ 150 C

0.008818 oz

- 65 C

1

194.8 A

3 kW

Microchip

Microchip Technology

R-PDSO-C2

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

40

Yes

MASMLJ9.0AE3

1.61 W

RECTANGULAR

1

Active

MICROSEMI CORP

5.65

DO-214AB

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

General Purpose

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

9 V

工作电压

9 V

极性

Unidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

10V

功率 - 脉冲峰值

3000W (3kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

194.8A

最大反向漏电电流

2 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

15.4V

箝位电压

15.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

9V

峰值脉冲电流

194.8 A

峰值脉冲功率

3 kW

方向

Unidirectional

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS Diodes

Rep Pk反向电压-最大值

9 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

3000 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

10 V

击穿电压-最大值

11.1 V

最小击穿电压

10 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes