![MASMLJ70CAE3](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-214AB, SMC
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
SMLJ70
Active
Bulk
厂商
Microchip Technology
DO-214AB
3000 W
Bi-Directional
Surface Mount
77.8 V
+ 150 C
- 65 C
26.6 A
3 kW
R-PDSO-C2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
40
Yes
MASMLJ7.0CAE3
1.61 W
RECTANGULAR
Microsemi Corporation
1
Active
MICROSEMI CORP
5.56
DO-214AB
Military grade
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-C2
资历状况
Not Qualified
工作电压
70 V
极性
Bidirectional
配置
Single
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
77.8V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
26.6A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
113V
箝位电压
113 V
电压 - 反向断态(典型值)
70V
测试电流
1 mA
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
7 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
-
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
3000 W
ESD保护
Yes
击穿电压-最小值
7.78 V
击穿电压-最大值
8.6 V