![MASMLJ130CAE3](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-214AB, SMC
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Microchip Technology
Bulk
Active
SMLJ130
R-PDSO-C2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
40
Yes
MASMLJ130CAE3
1.61 W
RECTANGULAR
Microsemi Corporation
1
Active
MICROSEMI CORP
5.49
DO-214AB
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-C2
资历状况
Not Qualified
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
144V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
14.4A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
209V
电压 - 反向断态(典型值)
130V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
130 V
JEDEC-95代码
DO-214AB
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
3000 W
击穿电压-最小值
144 V
击穿电压-最大值
159 V