包装/外壳

DO-214AB, SMC

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-214AB (SMCJ)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

SMCJLCE80

Active

Bulk

厂商

Microchip Technology

90 pF

88.7 V

5 W

+ 150 C

8 kV

15 kV

N

Microchip Technology

Microchip

1.5 kW

11.6 A

1

- 65 C

0.009065 oz

PLASTIC PACKAGE-2

SMALL OUTLINE

PLASTIC/EPOXY

No

MASMCJLCE8.0A

5 W

RECTANGULAR

1

Active

MICROSEMI CORP

9.36 V

5.59

NOT SPECIFIED

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

TIN LEAD

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

C BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

80 V

工作电压

80 V

极性

Unidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

88.7V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

11.6A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

129V

箝位电压

129 V

电压 - 反向断态（典型值）

80V

单向通道

1

产品类别

TVS Diodes

Rep Pk反向电压-最大值

8 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

电容@频率

90pF @ 1MHz

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

8.89 V

最大箝位电压

13.6 V

击穿电压-最大值

9.83 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes