包装/外壳

DO-214AA, SMB

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBJ (DO-214AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

Microchip Technology

SMBJ9.0

Active

Bulk

DO-214AA

600 W

Bi-Directional

Surface Mount

10 V

1.38 W

+ 150 C

0.003527 oz

- 65 C

1

39 A

600 W

Microchip

Microchip Technology

Details

R-PDSO-C2

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

40

Yes

MASMBJ9.0CAE3

1.38 W

RECTANGULAR

1

Active

MICROSEMI CORP

10.55 V

5.51

DO-214AA

Military grade

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

General Purpose

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

C BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

9 V

工作电压

9 V

极性

Bidirectional

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

10V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

39A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

15.4V

箝位电压

15.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

9V

测试电流

1 mA

产品类别

TVS Diodes

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

9 V

JEDEC-95代码

DO-214AA

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

ESD保护

Yes

击穿电压-最小值

10 V

最大箝位电压

15.4 V

击穿电压-最大值

11.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes