生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-215AA, SMB Gull Wing

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

Microchip Technology

Active

Bulk

SMBG7.0

77.8 V

1.38 W

+ 150 C

0.003527 oz

- 65 C

1

5.3 A

600 W

Microchip

Microchip Technology

N

R-PDSO-G2

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

NOT SPECIFIED

No

MASMBG70A

1.38 W

RECTANGULAR

1

Active

MICROSEMI CORP

5.42

DO-215AA

8.19 V

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

General Purpose

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

70 V

工作电压

70 V

极性

Unidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

7.78V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

50A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

12V

箝位电压

113 V

电压 - 反向断态（典型值）

7V

单向通道

1

产品类别

TVS Diodes

Rep Pk反向电压-最大值

70 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

77.8 V

最大箝位电压

12 V

击穿电压-最大值

86 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes