包装/外壳

DO-215AA-2

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

供应商器件包装

SMBG (DO-215AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Details

56.7 V

600 W

7.3 A

- 65 C

+ 150 C

1.38 W

1

0.003527 oz

DO-215AA

600 W

Bi-Directional

Surface Mount

Bulk

SMBG51

厂商

Microchip Technology

Active

R-PDSO-G2

SMALL OUTLINE

1

PLASTIC/EPOXY

40

Yes

MASMBG51CAE3

1.38 W

RECTANGULAR

1

Active

MICROSEMI CORP

59.7 V

5.51

DO-215AA

Military grade

包装

Bulk

操作温度

-65 to 150 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500

JESD-609代码

e3

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

应用

General Purpose

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

51 V

工作电压

51 V

极性

Bidirectional

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

56.7V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

7.3A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

82.4V

箝位电压

82.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

51V

测试电流

1 mA

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

51 V

JEDEC-95代码

DO-215AA

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

ESD保护

Yes

击穿电压-最小值

56.7 V

最大箝位电压

82.4 V

击穿电压-最大值

62.7 V