![MART100KP100CAE3](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-204AR, Axial
安装类型
Through Hole
表面安装
NO
供应商器件包装
Case 5A (DO-204AR)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Microchip Technology
MART100KP100
Active
Bulk
O-PALF-W2
LONG FORM
PLASTIC/EPOXY
CASE 5A
Yes
MART100KP100CAE3
1.61 W
ROUND
Microsemi Corporation
1
Active
MICROSEMI CORP
5.31
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-PALF-W2
资历状况
Not Qualified
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
111V
功率 - 脉冲峰值
100000W (100kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
-
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
197V
电压 - 反向断态(典型值)
100V
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
100000 W
击穿电压-最小值
111 V
击穿电压-最大值
123 V