规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
PLAD-2
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
N
111 V
30 kW
-
-
186 A
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
1
0.070548 oz
PLAD
Uni-Directional
Surface Mount
Bulk
PLAD30
厂商
Microchip Technology
Active
PLASTIC PACKAGE-1
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
No
MAPLAD30KP100A
2.5 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
117 V
5.63
Military grade
系列
MA
包装
Bulk
操作温度
-55 to 150 °C
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PSSO-G1
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
100 V
工作电压
100 V
极性
Unidirectional
配置
Single
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
CATHODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
111V
功率 - 脉冲峰值
30000W (30kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）
186A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
162V
箝位电压
162 V
电压 - 反向断态（典型值）
100V
测试电流
5 mA
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
电容@频率
-
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
30000 W
ESD保护
Yes
击穿电压-最小值
111 V
最大箝位电压
162 V
击穿电压-最大值
123 V
Vf-正向电压
4 V