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MAPLAD15KP8.0AE3

型号:

MAPLAD15KP8.0AE3

封装:

PLAD-2

描述:

ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    PLAD-2

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    PLAD

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    1

  • Details

  • 8.89 V

  • 15 kW

  • -

  • -

  • 1.101 kA

  • - 55 C

  • + 150 C

  • 2.5 W

  • 1

  • 0.077603 oz

  • PLAD

  • 15000 W

  • Uni-Directional

  • Surface Mount

  • Bulk

  • PLAD15

  • 厂商

    Microchip Technology

  • Active

  • S-PSSO-G1

  • SMALL OUTLINE

  • PLASTIC/EPOXY

  • 40

  • Yes

  • MAPLAD15KP8.0AE3

  • 2.5 W

  • SQUARE

  • 1

  • Active

  • MICROSEMI CORP

  • 5.58

  • Military grade

  • 系列

    MA

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -55 to 150 °C

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 端子表面处理

    MATTE TIN

  • 应用

    General Purpose

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 技术

    AVALANCHE

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • JESD-30代码

    S-PSSO-G1

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 工作电源电压

    8 V

  • 工作电压

    8 V

  • 极性

    Unidirectional

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    8.89V

  • 功率 - 脉冲峰值

    15000W (15kW)

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    1101A (1.101kA)

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    13.6V

  • 箝位电压

    13.6 V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    8V

  • 测试电流

    5 mA

  • 单向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    8 V

  • 电容@频率

    -

  • 筛选水平

    Military

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    15000 W

  • ESD保护

    Yes

  • 击穿电压-最小值

    8.89 V

  • 击穿电压-最大值

    9.83 V

  • Vf-正向电压

    2 V

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