
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
Nonstandard SMD
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
PLAD
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
厂商
Microchip Technology
Bulk
Active
PLAD15
PLAD
15000 W
Bi-Directional
Surface Mount
8.33 V
2.5 W
+ 150 C
-
0.077603 oz
- 55 C
1
1.164 kA
15 kW
Microchip
Microchip Technology
Details
-
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
SMALL OUTLINE
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
MAPLAD15KP7.5CAE3
2.5 W
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
8.77 V
5.58
Military grade
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PSSO-G1
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
7.5 V
工作电压
7.5 V
极性
Bidirectional
配置
Single
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
83.3V
功率 - 脉冲峰值
15000W (15kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
123A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
121V
箝位电压
12.9 V
电压 - 反向断态(典型值)
75V
测试电流
5 mA
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
7.5 V
电容@频率
-
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
15000 W
ESD保护
Yes
击穿电压-最小值
8.33 V
最大箝位电压
12.9 V
击穿电压-最大值
9.21 V
Vf-正向电压
2 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes